單晶少子壽命測試儀 少子壽命測試儀 型號：TR-LT-2

TR-LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

本儀器根據(jù)通用方法高頻光電導衰退法的原理設計，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結構緊湊、測量數(shù)據(jù)可靠。
技　術　指　標 ：

測試單晶電阻率范圍 >2Ω.cm
可測單晶少子壽命范圍 5μS～7000μS
配備光源類型 波長：1.09μm；余輝<1 μS；
閃光頻率為：20～30次／秒；
閃光頻率為：20～30次／秒；
高頻振蕩源 用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
前置放大器 放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz
儀器測量重復誤差 <±20％
測量方式 采用對標準曲線讀數(shù)方式
儀器消耗功率 <25W
儀器工作條件 溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz
可測單晶尺寸 斷面豎測：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
縱向臥測：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器 頻寬0—20MHz；
電壓靈敏：10mV／cm；